наверх

В Samsung Galaxy S6 будет использоваться очень быстрая память

13.11.2014
Появились первые слухи о следующем флагманском смартфоне компании
В Samsung Galaxy S6 будет использоваться очень быстрая память
Фото: Hi-tech@mail.ru

На прошлой неделе появились первые слухи о следующем флагманском смартфоне компании Samsung GALAXY S6. Согласно источникам, смартфон создается с чистого листа, что подтверждает его кодовое имя Project Zero. Предварительные технические характеристики смартфона выглядят внушительно, во всяком случае, на бумаге. Теперь же появилась информация об используемой встроенной памяти в смартфоне, которая должна стать значительно быстрее, чем используемая ранее, пишет Hi-tech@mail.ru.

Согласно новому отчету из Кореи, Samsung начнет использовать UFS 2.0 (Universal Flash Storage) уже в GALAXY S6. UFS является следующим поколением NAND Flash и сочетает в себе высокую скорость, присущую SSD и низкое энергопотребление, свойственное eMMC. Скорость UFS может достигать 1,2 ГБ в секунду, что в три раза выше скорости eMMC. К тому же, их энергоэффективность находится на сопоставимом уровне, с небольшим перевесом в пользу UFS, однако увеличенная пропускная способность позволить увеличить разницу в энергопотреблении до двух раз по сравнению с eMMC 5.0.

Samsung будет постепенно заменять внутренние и внешние накопители на UFS-решения. Компания считает, что внедрение данной технологии может помочь ей увеличить долю на этом рынке за счет преимущества скорости и энергоэффективности по сравнению с конкурентами.

Однако не только Samsung работает над очень быстрой памятью — Xiaomi осваивает данную технологию и собирается внедрить ее в своем следующем флагманском устройстве, что позитивно скажется на конкуренции, а также простимулирует других крупных игроков предоставить новые решения потребителям в своих последующих аппаратах.

«UFS является важным элементом нашего бизнеса смартфонов на следующий год, Мы начнем их использовать с флагманских устройств. Тем не менее, мы еще не можем раскрывать какие-либо подробности, потому что новый смартфон выйдет только в следующем году и технические характеристики еще не утверждены», — сообщил источник из Samsung.

Использование новой памяти позитивно скажется не только на скорости записи и чтении привычных файлов, но может значительно расширить возможности виртуальной реальности и 3D-видео в смартфонах, которым требуется передавать большие массивы информации максимально быстро. С учетом постоянного наращивания мощности процессоров и графических ускорителей все эти технологии потенциально могут стать будущим мобильной виртуальной реальности. В таком случае, разработки компаний в виде кредлов для смартфонов с линзами уже приобретают некоторый практический смысл. Главное, чтобы за всем этим развитием успевали подтягиваться и аккумуляторы в смартфонах.

Среди прочих слухов есть версия, что новинка получит идентичное решение дисплея по краям экрана, как и GALAXY Note Edge, только такая технология будет использоваться с двух сторон. Учитывая высокую стоимость GALAXY Note Edge, можно предположить, что внедрение технологии повлияет и на ценник нового флагмана, однако не так заметно в силу более массового производства. С другой стороны, использование двух изгибов может нивелировать разницу себестоимости таких дисплеев в GALAXY Note Edge и GALAXY S6.

К тому же, такой подход вызывает большие сомнения касательно удобства управления смартфоном, так как с большой долей вероятности в ходе эксплуатации будут постоянно происходить случайные нажатия. В любом случае, новинка ожидается в первой половине 2015 года, так что ждать осталось не так уж и долго.

Источник


Главные новости uralsk.info
Только самые важные события. Подпишитесь на ежедневную рассылку.

Укажите адрес электронной почты

Подписаться
0 комментариев
Показать все комментарии (еще -2)